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ZXM66P02N8TA-VB
1个P沟道,耐压：-20V，电流：-8A
- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-20V；-8A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=4.5V,VGS=15V；Vth=-0.6~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZXM66P02N8TA-VB
- 商品编号
- C41370603
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 采用高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)
- 电压控制型小信号开关
- 坚固可靠
- 具备高饱和电流能力
- 具备静电放电（ESD）保护
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器