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FQPF17P10-VB实物图
  • FQPF17P10-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQPF17P10-VB

1个P沟道,耐压:-100V,电流:-12A

描述
TO220F;P—Channel沟道,-100V;-12A;RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
商品型号
FQPF17P10-VB
商品编号
C41370606
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.7nC@10V
输入电容(Ciss)1.055nF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)65pF

商品特性

  • 用于低导通电阻(RDS(on))的高密度单元设计
  • 电压控制小信号开关
  • 坚固可靠
  • 高饱和电流能力
  • 静电放电(ESD)保护

应用领域

  • 便携式设备的负载开关
  • 直流-直流(DC/DC)转换器

数据手册PDF