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DMN5L06DWK-7-VB
2个N沟道,耐压：60V，电流：0.3A
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- 描述
- SC70-6，2个N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2500mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMN5L06DWK-7-VB
- 商品编号
- C41370176
- 商品封装
- SC-70
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 低导通电阻:2.5 Ω
- 低阈值:2 V(典型值)
- 低输入电容:25 pF
- 快速开关速度:25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 低失调电压
- 低电压运行
- 无需缓冲器即可轻松驱动
- 高速电路
- 低误差电压
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器