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NCE2012-VB
1个N沟道,耐压：20V，电流：20A
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,20V；20A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.9V,VGS=±16V；Vth=1~2.1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE2012-VB
- 商品编号
- C41370180
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 745pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本
- 符合RoHS标准