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DTS2012-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- SC70-3；N—Channel沟道,20V；4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V；Vth=0.6~1.3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DTS2012-VB
- 商品编号
- C41370182
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 提供N沟道MOSFET