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RU20120L-VB
1个N沟道,耐压：20V，电流：120A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,20V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RU20120L-VB
- 商品编号
- C41370181
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关
- DC/DC转换器