温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SJ258-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ258-VB
- 商品编号
- C41369945
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单