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2SJ461A-T1B-AT-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.87V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ461A-T1B-AT-VB
- 商品编号
- C41369948
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 高端开关
- 低导通电阻:3 Ω
- 低阈值:-2 V(典型值)
- 快速开关速度:20 ns(典型值)
- 低输入电容:20 pF(典型值)
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- P沟道MOSFET