ACE2305BM+H-VB
1个P沟道,耐压:-20V,电流:-4A
- 描述
- SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.81V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ACE2305BM+H-VB
- 商品编号
- C41369963
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
总价金额:
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