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2SJ419-VB
1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
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- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-12V；-13A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.6~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ419-VB
- 商品编号
- C41369946
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-负载开关-电池开关