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NCE40P70K-ES
1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- P沟道，-40V，-80A，6.7mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- NCE40P70K-ES
- 商品编号
- C41365209
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3764克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 81.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
NCE40P70K-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品NCE40P70K-ES为无铅产品。
商品特性
- 40V，栅源电压为 -10V 时，漏源导通电阻 = 6.7 mΩ（典型值）；栅源电压为 -4.5V 时，漏源导通电阻 = 8.5 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换
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