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SP6023CTM
中低压N+P型MOSFET N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:35A
- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：60V,电流：N 20A/P -35A,Rdson:N 23mR/P 30mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP6023CTM
- 商品编号
- C41355095
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@4.5V；46.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.417nF；1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF；120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 179pF；120pF |
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 采用无铅产品
- 表面贴装封装
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理