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SP2011ACTM
中低压N+P型MOSFET N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:38A
- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：20V,电流：N 35A/P -38A,Rdson:N 8mR/P 9mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP2011ACTM
- 商品编号
- C41355090
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A；38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V；9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@4.5V；72.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.196nF；2.872nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF；274pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF；332pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷
- 快速开关速度
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理