- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 硅电容 | |
| 容值 | 10pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 精度 | ±10% | |
| 击穿电压 | 50V |
商品概述
90系列片式电容器采用氮化硅/二氧化硅介电层，具有高可靠性和随时间变化稳定的电容值。这些金属 - 绝缘体 - 半导体（MIS）电容器具有高绝缘电阻和低损耗因数，以实现出色的高频性能和可靠性。电容器的电容值范围为2 pF至600 pF。90系列的工作电压为50 V。 顶部触点和背面端子为镀金材质。该系列坚固耐用的电容器能够在所有商业和工业应用中可靠运行。 90系列片式电容器能够满足MIL - STD - 750和MIL - STD - 883的环境要求。 适用于直流阻断和射频旁路应用。
商品特性
- 高工作电压：50 V
- 宽电容范围：2 ~ 600 pF
- 出色的稳定性，符合RoHS标准
应用领域
- 直流阻断
- 射频旁路
- 9123RK
- MBC50-22B12
- 90100RK
- 939118492510-T3S
- 935151723510-T3N
- 935154632410-W0T
- 935152724547-T3N
- 939118722456-T3S
- 935152424610-T3N
- 935155724547-T3N
- 935152722456-T3S
- 935174732547-T3A
- 935157725410-W0A
- SC01000710
- 935142521410-T3T
- 939114722410-T3S
- 935152723510-T3N
- 939113733510-T3N
- 935174730410-T3A
- 935146522310-W0T
- 939114492510-T3S