939113733510-T3N
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- 品牌名称
- muRata(村田)
- 商品型号
- 939113733510-T3N
- 商品编号
- C3715720
- 商品封装
- 0201
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 硅电容 | |
| 容值 | 10nF | |
| 精度 | ±15% | |
| 击穿电压 | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 等效串联电阻(ESR) | 500mΩ | |
| 等效串联电感(ESL) | 0.1nH | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XBSC/UBSC/BBSC/ULSC电容器面向光通信系统(ROSA/TOSA、SONET及所有光电子器件)以及高速数据系统或产品。这些电容器专为隔直、耦合和旁路接地应用而设计。村田集成无源解决方案开发的独特硅集成无源器件技术,使得XBSC在16 kHz到110 GHz、UBSC在16 kHz到67 GHz、BBSC在16 kHz到40 GHz、ULSC在16 kHz到20 GHz的范围内,具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性。这些深沟槽硅电容器采用半导体MOS工艺开发,在电压(0.1%/V)和温度(60 ppm/K)变化时,能提供非常高的可靠性和电容稳定性。它们的工作温度范围扩展至 -55°C到150°C。由于采用了高温固化(高于900°C)的全控生产线,生成了高纯度氧化物,从而获得可靠且可重复的性能。XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列符合JEDEC标准组装规则,使产品完全适用于高速自动贴装制造操作。这些电容器符合RoHS标准,根据尺寸大小,可提供化学镀镍浸金(ENIG)端接或无铅预凸块。
商品特性
- 超宽带性能可达110 GHz
- 无谐振,允许超低群时延变化
- 由于在传输模式下具有出色的阻抗匹配,插入损耗超低
- 在旁路接地模式下具有低ESL和低ESR
- 电容值在温度、电压和老化过程中具有高稳定性
- 高可靠性
- 与无铅回流焊兼容
应用领域
- 光电子/高速数据
- 跨阻放大器(TIA)
- 接收和发射光组件(ROSA/TOSA)
- 同步光网络(SONET)
- 高速数字逻辑
- 宽带测试设备
- 宽带微波/毫米波
- 替代X7R和NPO电容器
- 薄型应用(400或100 μm)
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