商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 硅电容 | |
| 容值 | 4pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 精度 | ±20% | |
| 击穿电压 | 50V |
商品概述
MBC50-x系列电容器在热生长的二氧化硅基底上采用氮化硅电介质。由此产生的复合电介质具有低泄漏电流和插入损耗，以及出色的长期稳定性。电容温度系数通常为 +55 ppm/°C。
商品特性
- 低泄漏电流
- 低插入损耗
- 出色的长期稳定性
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 硅电容 | |
| 容值 | 4pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 精度 | ±20% | |
| 击穿电压 | 50V |
MBC50-x系列电容器在热生长的二氧化硅基底上采用氮化硅电介质。由此产生的复合电介质具有低泄漏电流和插入损耗，以及出色的长期稳定性。电容温度系数通常为 +55 ppm/°C。