935152783522-T3N

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品牌名称: muRata(村田)
商品型号: 935152783522-T3N
商品编号: C3715766
商品封装: 0201
包装方式: 编带
商品毛重: 0.011克(g)

商品参数

商品概述

XBSC/UBSC/BBSC/ULSC电容器面向光通信系统（ROSA/TOSA、SONET及所有光电子器件）以及高速数据系统或产品。这些电容器专为隔直、耦合和旁路接地应用而设计。村田集成无源解决方案开发的独特硅集成无源器件技术，使得XBSC在16 kHz到110 GHz、UBSC在16 kHz到67 GHz、BBSC在16 kHz到40 GHz、ULSC在16 kHz到20 GHz的范围内，具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性。这些深沟槽硅电容器采用半导体MOS工艺开发，在电压（0.1%/V）和温度（60 ppm/K）变化时，能提供非常高的可靠性和电容稳定性。它们的工作温度范围扩展至 -55°C到150°C。由于采用了高温固化（高于900°C）的全控生产线，生成了高纯度氧化物，从而获得可靠且可重复的性能。XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列符合JEDEC标准组装规则，使产品完全适用于高速自动贴装制造操作。这些电容器符合RoHS标准，根据尺寸大小，可提供化学镀镍浸金（ENIG）端接或无铅预凸块。

商品特性

超宽带性能可达110 GHz
无谐振，允许超低群时延变化
由于在传输模式下具有出色的阻抗匹配，插入损耗超低
在旁路接地模式下具有低ESL和低ESR
电容值在温度、电压和老化过程中具有高稳定性
高可靠性
与无铅回流焊兼容

应用领域

光电子/高速数据
跨阻放大器（TIA）
接收和发射光组件（ROSA/TOSA）
同步光网络（SONET）
高速数字逻辑
宽带测试设备
宽带微波/毫米波
替代X7R和NPO电容器
薄型应用（400或100 μm）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	硅电容
	容值	22nF
	精度	±15%
	击穿电压	30V

	属性	参数值
	等效串联电阻(ESR)	300mΩ
	等效串联电感(ESL)	0.1nH
	工作温度	-55℃~+150℃