- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 硅电容 | |
| 容值 | 22pF | |
| 精度 | ±20% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 50V | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ |
商品概述
MBC50-x系列电容器在热生长的二氧化硅基底上采用氮化硅电介质。由此产生的复合电介质具有低泄漏电流和插入损耗，以及出色的长期稳定性。电容温度系数通常为 +55 ppm/°C。
商品特性
- 低泄漏电流
- 低插入损耗
- 出色的长期稳定性
- 90100RK
- 939118492510-T3S
- 935151723510-T3N
- 935154632410-W0T
- 935152724547-T3N
- 939118722456-T3S
- 935152424610-T3N
- SC00120912
- 935155724547-T3N
- 935152722456-T3S
- 935174732547-T3A
- SC01001518
- 935157725410-W0A
- SC01000710
- 935142521410-T3T
- 939114722410-T3S
- 935152723510-T3N
- 939113733510-T3N
- 935174730410-T3A
- 935146522310-W0T
- 939114492510-T3S