商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 硅电容 | |
| 容值 | 20pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 200V | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ |
商品概述
MNS（金属-氮化物-硅）芯片电容器4M系列专为微波电路应用中的高可靠性和可重复性能而设计。这些电容器采用低压化学气相沉积（LPCVD）工艺制造，形成致密、均匀的氮化物层。与类似的MOS、MIS和陶瓷电容器相比，这些器件每单位面积的电容更高（从而使芯片尺寸更小），并且坚固性得到改善。采用蒸发金触点，在电容器芯片上提供易于键合的金属焊盘。M/A-Com MNS电容器在150摄氏度的额定耐受电压下，电容变化无法测量。MA4M系列芯片电容器是高达Ku波段的混合微波电路的理想选择，在这些电路中，低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性是主要关注点。这些芯片电容器适用于需要直流阻隔、耦合电容、旁路电容、电容性负载以及振荡器、倍频器和滤波器中的调谐元件的应用。
商品特性
- 出色的重复性（晶圆间和批次间）
- 小尺寸
- 低损耗、高Q值，提供圆形或方形键合焊盘
应用领域
适用于需要直流阻隔、耦合电容、旁路电容、电容性负载以及振荡器、倍频器和滤波器中的调谐元件的应用，以及高达Ku波段的混合微波电路。