温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NCP51100ASNT1G

单通道2 A高速、低端栅极驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: NCP51100 2 A 栅极驱动器旨在通过在短开关间隔期间提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器具备 TTL 输入阈值。内部电路提供欠压锁定功能，在电源电压处于工作范围之前，将输出保持为低电平
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP51100ASNT1G
商品编号: C3654893
商品封装: SOT-23-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.17克(g)

商品参数

商品概述

NCP51100 2 A栅极驱动器旨在通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的N沟道增强型MOSFET。该驱动器具备TTL输入阈值。内部电路提供欠压锁定功能，在电源电压处于工作范围之前，将输出保持为低电平。NCP51100可实现快速MOSFET开关性能，有助于在高频电源转换器设计中实现效率最大化。NCP51100驱动器的末级输出采用了MillerDrive架构。这种双极型 - MOSFET组合在MOSFET导通/关断过程的米勒平台阶段提供高峰值电流，以最小化开关损耗，同时提供轨到轨电压摆幅和反向电流能力。NCP51100采用行业标准的5引脚SOT23封装。

商品特性

行业标准引脚排列
11 V至18 V工作范围
VDD = 12 V时，峰值灌/拉电流为3 A
VOUT = 6 V时，灌电流为2.5 A/拉电流为1.8 A
典型上升/下降时间为14 ns / 7 ns（1 nF负载）
典型传播延迟时间低于20 ns
MillerDrive技术
5引脚SOT23封装
环境温度范围为 -40℃至 +125℃

应用领域

开关模式电源
高效MOSFET开关
同步整流电路
直流 - 直流转换器
电机控制

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	11V~18V
	上升时间(tr)	14ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	7ns
	传播延迟 tpLH	10ns
	传播延迟 tpHL	14ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.6V~2V
	静态电流(Iq)	550uA