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10N65KL-TF1-T
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 10N65KL-TF1-T
- 商品编号
- C427623
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
UTC 10N65K-MTQ 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 UTC 先进技术，为客户提供平面条形和 DMOS 技术。该技术可实现极低的导通电阻和卓越的开关性能，还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 UTC 10N65K-MTQ 通常应用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(ON) < 1.3Ω @ VGS = 10V，ID = 5.0A
- 高开关速度
- 改善的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 高效开关模式电源
- 有源功率因数校正
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器