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2N90G-TM3-T
1个N沟道 耐压:900V 电流:2A
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- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N90G-TM3-T
- 商品编号
- C427626
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.559克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 2N90 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的平面条形和 DMOS 技术。该技术可实现极低的导通电阻和出色的开关性能，还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 UTC 2N90 广泛应用于高效开关电源。
商品特性
- RDS(ON) < 7.2 Ω @ VGS = 10V,ID = 1.1A
- 开关速度快
- 改善了 dv/dt 能力
- 经过 100% 雪崩测试
应用领域
- 高效开关电源
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