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MDD3400
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD3400
- 商品编号
- C427382
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 635pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这款30V N沟道MOSFET基于独特的器件设计，可实现低导通电阻RDS(ON)、快速开关和出色的雪崩特性。
- 便携式设备的负载开关
- 开关稳压器
- DC-DC转换器
商品特性
- 高密单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力