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SI2302S
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- SI2302S
- 商品编号
- C427388
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计