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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MDD2302

1个N沟道 耐压:20V 电流:4A

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描述
应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
商品型号
MDD2302
商品编号
C427390
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@2.5V,4A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)5.4nC@10V
输入电容(Ciss)340pF@10V
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-50℃~+150℃

商品特性

  • 先进沟槽工艺技术
  • 用于超低导通电阻的高密度单元设计

应用领域

  • 负载开关
  • 开关电路
  • 高速线路驱动器
  • 电源管理功能

数据手册PDF