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MDD3407
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD3407
- 商品编号
- C427386
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V；66mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 493pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(on) = 290 mΩ（最大值），条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 7
- 低栅极电荷（典型值18 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值17 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PDP 电视
- 不间断电源