BSS123
1个N沟道 耐压:100V 电流:200mA
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描述
应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称MDD(辰达半导体)
商品型号
BSS123商品编号
C427379商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.030367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V | |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 740pC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 31.6pF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
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