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VS2622AE
1个N沟道 耐压:20V 电流:56A
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- 描述
- N沟道 20V 56A
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VS2622AE
- 商品编号
- C427040
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOST技术。这项先进技术经过特别设计，旨在最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 20V、4A，栅源电压 = 4.5V时，漏源导通电阻最大值 = 42毫欧
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理