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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 292A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF |
商品概述
CMSL018N10采用先进的超级沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
-表面贴装封装-先进的沟槽单元设计-超级沟槽-符合RoHS标准
应用领域
-液晶电视设备-液晶显示器设备-高功率逆变器系统