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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
65R550是一款功率MOSFET,采用了东微半导体(Truesemi)先进的超级结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来了低电磁干扰(EMI)优势,同时具备低开关损耗。
商品特性
- 8A、650V,在VGS = 10V时,最大RDS(on)= 0.55Ω
- 超级结技术
- 更低的导通电阻与芯片面积乘积(Ron*A)性能,以提高导通效率
- 更低的品质因数(FOM),以实现快速开关效率
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换