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TSD65R300
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
- 描述
- 65R300 是一款功率 MOSFET，采用了东微半导体（Truesemi）先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它能提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低电磁干扰（EMI）优势，还具有低开关损耗的特点
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSD65R300
- 商品编号
- C39832942
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
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