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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSK65R099

1个N沟道 耐压:650V 电流:31A

描述
65R099 是一款功率 MOSFET,采用了东微半导体(Truesemi)先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,该器件将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低 EMI 的优势,还具备低开关损耗的特点
品牌名称
Truesemi(信安)
商品型号
TSK65R099
商品编号
C39832946
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.773333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))103mΩ@10V
耗散功率(Pd)255W
阈值电压(Vgs(th))4.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)1.9nF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)117pF

商品概述

65R099是一款功率MOSFET,采用了东微半导体(Truesemi)先进的超级结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具备低开关损耗。

商品特性

  • 31A、650V,在VGS = 10V时,最大RDS(on)= 0.103Ω
  • 超级结技术
  • 更低的导通电阻与面积乘积(Ron*A)性能,以提高导通状态效率
  • 更低的品质因数(FOM),以实现快速开关效率

应用领域

  • 直流-交流转换器-开关模式电源-不间断电源(UPS)

数据手册PDF