我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
TSK65R099实物图
  • TSK65R099商品缩略图
  • TSK65R099商品缩略图
  • TSK65R099商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TSK65R099

1个N沟道 耐压:650V 电流:31A

描述
65R099 是一款功率 MOSFET，采用了东微半导体（Truesemi）先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，该器件将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低 EMI 的优势，还具备低开关损耗的特点
品牌名称
Truesemi(信安)
商品型号
TSK65R099
商品编号
C39832946
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.773333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))103mΩ@10V
耗散功率(Pd)255W
阈值电压(Vgs(th))4.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)1.9nF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)117pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(30个/管，最小起订量 1 个)
个
起订量：1 个30个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单