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TSF65R550
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
- 描述
- 65R550是一款功率MOSFET，采用了东微半导体（Truesemi）先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF65R550
- 商品编号
- C39832941
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
65R550是一款功率MOSFET,采用了东微半导(Truesemi)先进的超级结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具备低开关损耗。
商品特性
- 8A、650V,VGS = 10V时,最大RDS(on)= 0.55Ω
- 超级结(Super-Junction)技术
- 更低的导通电阻与面积乘积(Ron*A)性能,提高导通状态效率
- 更低的品质因数(FOM),实现快速开关效率
应用领域
- 负载开关-网络直流-直流电源系统-高频负载点同步降压转换器