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2N7002T
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- N沟道,60V,0.115A,7Ω@5V
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- 2N7002T
- 商品编号
- C40106
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC 转换器
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