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2N7002K 72K

1个N沟道耐压:60V 电流:340mA

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描述: N沟道,60V,0.34A,5Ω@10V
品牌名称: CJ(江苏长电/长晶)
商品型号: 2N7002K 72K
商品编号: C38161
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036克(g)

商品参数

商品概述

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为PDP驱动应用中高效、耐用且可靠的器件。

商品特性

先进的工艺技术
针对PDP维持、能量回收和通路开关应用优化关键参数
低脉冲能量额定值，可降低PDP维持、能量回收和通路开关应用中的功耗
低栅极电荷，实现快速响应
高重复峰值电流能力，确保可靠运行
短下降和上升时间，实现快速开关
175°C工作结温，提高耐用性
重复雪崩能力，确保坚固性和可靠性
300W - 500W D类音频放大器（半桥）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	340mA
	导通电阻(RDS(on))	5.3Ω@4.5V
	耗散功率(Pd)	350mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@1mA
	输入电容(Ciss)	40pF
	反向传输电容(Crss)	10pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	30pF