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AO3485
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 替代AO3415 MOS管AO3485_4A20V_P_SOT-23_AOS
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO3485
- 商品编号
- C403654
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 751pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
AO3485采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
商品特性
- 符合RoHS标准且无卤
- 静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）2级
- 绿色产品