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AON6354
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6354
- 商品编号
- C404363
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.209克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压，最大1.0 V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装，尺寸为1mm x 1mm
- 低封装高度，最大封装高度0.45mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关