ST25DV16KC-IE6S3

ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC器件是NFC RFID标签，分别提供4 Kbit、16 Kbit和64 Kbit的电可擦除可编程存储器（EEPROM）。ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC提供两种接口。第一种是I²C串行链路，可由直流电源供电运行。第二种是射频链路，当ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC作为由接收到的载波电磁波供电的非接触式存储器时激活。 在I²C模式下，ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC用户存储器最多包含512字节、2048字节和8192字节，可分为4个灵活且可保护的区域。 在射频模式下，遵循ISO/IEC 15693或NFC论坛类型5的建议，ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC用户存储器分别最多包含128个、512个和2048个4字节的块，可分为4个灵活且可保护的区域。 由于具备256字节的易失性缓冲区（也称为邮箱），ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC可在射频和接触式环境之间实现快速传输模式。此外，ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC的GPO引脚提供数据，向接触式环境通报传入事件，如射频场检测、正在进行的射频活动或邮箱消息可用性。在外部条件允许时，还提供能量收集功能。

• 采用意法半导体（ST）的先进专利技术
• 两线I²C串行接口支持1MHz协议
• 单电源电压：1.8 V至5.5 V
• 多字节写入编程（最多256字节）
• 可配置的I²C从地址
• 基于ISO/IEC 15693标准
• 获得NFC论坛认证的NFC论坛类型5标签
• 支持所有ISO/IEC 15693调制、编码、副载波模式和数据速率
• 自定义快速读取访问速度高达53 kbit/s
• 单块和多块读取（扩展命令同理）
• 单块和多块写入（最多四块）（扩展命令同理）
• 内部调谐电容：28.5 pF
• 最多64 Kbit的EEPROM（取决于型号）
• I²C接口按字节访问
• 射频接口按4字节块访问
• 写入时间：从I²C写入：1至16字节典型值为5 ms；从射频写入：一个块典型值为5 ms
• 数据保留时间：40年
• 写入周期耐久性：25 ℃时100万次写入周期；85 ℃时60万次写入周期；105 ℃时50万次写入周期；125 ℃时40万次写入周期
• I²C和射频接口之间实现快速数据传输
• 半双工256字节专用缓冲区
• 模拟输出引脚可为外部组件供电
• 用户存储器：一到四个可配置区域，在射频模式下可通过三个64位密码、在I²C模式下可通过一个64位密码进行读和/或写保护
• 系统配置：在射频模式下通过一个64位密码、在I²C模式下通过一个64位密码进行写保护
• 中断引脚可针对多个射频事件（场变化、存储器写入、活动、快速传输结束、用户设置/复位/脉冲）和I²C事件（存储器写入完成、射频关闭）进行配置
• 开漏或CMOS输出（取决于型号）
• 输入引脚可触发低功耗模式（仅适用于10球和12引脚封装）
• 可通过I²C主控制器启用/禁用射频命令解释器
• I²C优先级：可通过I²C立即关闭射频
• 温度范围6：-40 ℃至
• 温度范围8：-40 ℃至85 ℃（仅适用于UDFPN8和UFDFPN12封装）；-40 ℃至125 ℃（仅适用于SO8N和TSSOP8封装，射频接口最高105 ℃）
• 8引脚、10球和12引脚ECOPACK2封装（符合RoHS标准）