UPA654TT-E1-A
1个P沟道 耐压:12V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA654TT-E1-A
- 商品编号
- C3291457
- 商品封装
- WSOF-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 234mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 高速开关
- 可实现4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度安装
- 低导通电阻
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试与测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高可靠性应用：交通设备（汽车、火车、船舶等）、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备，以及非专用于生命支持的医疗设备。
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