RM7N600LD
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM7N600LD
- 商品编号
- C3290951
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 587pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT技术
- 低 RDS(on)
- 逻辑电平驱动
- 出色的 QG\RDS(ON)乘积(品质因数)
- 符合RoHS和无卤标准
商品特性
- 适用于高压器件的新技术
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 经过 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)

