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HUFA76429D3ST
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA76429D3ST
- 商品编号
- C3290938
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
FDD6670AS旨在取代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，具有低RDS(ON)和低栅极电荷的特点。FDD6670AS采用专利技术，将MOSFET与肖特基二极管进行了单片集成。在同步整流器中，FDD6670AS作为低端开关的性能与FDD6670A并联肖特基二极管的性能几乎无差异。
商品特性
- 76 A、30 V，VGS = 10 V时，RDS(ON)最大值 = 8.0 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON)最大值 = 10.4 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值29nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器-笔记本电脑低端电路