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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD6688S

1个N沟道 耐压:30V 电流:88A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD6688S
商品编号
C3290929
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)88A
导通电阻(RDS(on))5.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)81nC@10V
输入电容(Ciss)3.29nF
反向传输电容(Crss)300pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)900pF

商品概述

RM27P30LD采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 88A、30V。VGS = 10V时,RDS(ON) = 5.1mΩ
  • VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 6.3mΩ
  • 低栅极电荷(典型值31nC)
  • 快速开关
  • 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 电机驱动器

数据手册PDF