RM115N65T2
N沟道,电流:115A,耐压:65V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM115N65T2
- 商品编号
- C3290345
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- VDS = 65V,ID = 115A
- RDS(ON) < 4.7 mΩ(VGS = 10V时)
- RDS(ON) < 8.0 mΩ(VGS = 4.5V时)
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高 EAS 下稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的优质封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源