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IPB60R040C7ATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:50A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB60R040C7ATMA1
- 商品编号
- C3289227
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@24.9A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1.24mA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.34nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CoolMOS™ C7是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。600V C7是首款导通电阻(RDS(on))与芯片面积(A)乘积低于1欧姆·平方毫米的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）
- 将MOSFET的dv/dt鲁棒性提升至120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg提高效率
- 同类最佳的导通电阻RDS(on)/封装
- 通过JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用认证
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源（SMPS）的PFC级和PWM级（TTF、LLC），如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。
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