NP32N055HLE-AZ
N沟道,电流:32A,耐压:55V
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- 品牌名称
- NEC(日电电子)
- 商品型号
- NP32N055HLE-AZ
- 商品编号
- C3283272
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品特性
- 双N沟道OptiMOS MOSFET
- 增强型
- 逻辑电平(额定4.5V)
- 雪崩额定
- 100%无铅;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
- 无卤
