RM11N800TI
1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM11N800TI
- 商品编号
- C3280833
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 175°C工作温度
- 高电流处理能力
- 符合ROHS标准
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 汽车发动机控制
- 同步降压转换器（用于笔记本系统电源和通用负载点）
- DC/DC转换器
- 高电流开关应用
- 动力系统管理
- 分布式电源架构