温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SQP50P03-07_GE3

汽车级P沟道MOSFET,电流:50A,耐压:30V

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQP50P03-07_GE3
商品编号: C3280783
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

IRF640、IRF641、IRF642和IRF643是n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。IRF640R、IRF641R、IRF642R和IRF643R型是先进的功率MOSFET，经过设计、测试，并保证能在击穿雪崩模式下承受指定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。IRF系列采用JEDEC TO - 220AB塑料封装。

商品特性

符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
TrenchFET 功率 MOSFET
低热阻封装
100%进行 Rg 和 UIS 测试
通过 AEC-Q101 认证
符合 RoHS 指令 2002/95/EC

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	50A
	导通电阻(RDS(on))	11mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	150W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	155nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.38nF
	反向传输电容(Crss)	850pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	764pF