我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
FQP3N60实物图
  • FQP3N60商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQP3N60

N沟道,电流:3.0A,耐压:600V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQP3N60
商品编号
C3280497
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))3.6Ω@10V
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)450pF
反向传输电容(Crss)7.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)65pF

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管,适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

  • 15A,50V
  • rDS(ON) = 0.140 Ω
  • 针对5V栅极驱动进行优化设计
  • 可由QMOS、NMOS、TTL电路驱动
  • 符合汽车驱动要求
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗
  • 多数载流子器件

应用领域

  • 开关稳压器
  • 开关转换器
  • 电机驱动器
  • 继电器驱动器
  • 大功率双极型开关晶体管驱动器

数据手册PDF