RM2020ES9
N和P通道,电流:0.75A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2020ES9
- 商品编号
- C3280243
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最大程度降低导通电阻。这些器件特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡及其他电池供电电路中的低电压应用，这些应用需要在极小尺寸的表面贴装封装中实现快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
-高功率和大电流处理能力-产品无铅-表面贴装封装-无卤