TAV-541+
低噪声高电流场效应管,电流:60mA,耐压:5V
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- 描述
- 是超低噪声、高 IP3 晶体管器件,采用 E-PHEMT 技术,可在单正电源电压下工作。在 2.5 GHz 以下具有出色的噪声系数,将此噪声系数与高 IP3 性能结合在单个器件中,使其成为要求苛刻的基站应用的理想放大器。
- 品牌名称
- Mini-Circuits
- 商品型号
- TAV-541+
- 商品编号
- C3278088
- 商品封装
- FG-873
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0555克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
- A3P060-FGG144T
- A3P1000-FGG256
- APA150-FG256IX95
- M1A3P400-FGG256I
- A3P1000-1FGG484
- M2GL090-1FG484IX417
- A3P1000-FGG484I
- XC7A15T-L2FTG256E
- XC7A50T-3FTG256E
- XC7A15T-1FTG256I
- XC3S200AN-4FT256C
- STH200N10WF7-2
- STH240N10F7-2
- STH10N80K5-2AG
- STH47N60DM6-2AG
- RQ3G110ATTB
- RQ3P300BHTB1
- RQ3L090GNTB
- RQ3E130BNTB
- RQ3E070BNTB
- NP16N06YLL-E1-AY


